IC Package (IC的封装形式)指芯片(Die)和不同类型的框架(L/F)和塑封料(EMC)形成的不同外形的封装体。
IC Package种类很多，可以按以下标准分类：
按封装材料划分为：
金属封装、陶瓷封装、塑料封装
金属封装主要用于军工或航天技术，无商业化产品;
陶瓷封装优于金属封装，也用于军事产品，占少量商业化市场;
塑料封装用于消费电子，因为其成本低，工艺简单，可靠性高而占有绝大部分的市场份额;
按照和PCB板连接方式分为：
PTH封装和SMT封装
按照封装外型可分为：
SOT、SOIC、TSSOP、QFN、QFP、BGA、CSP等;
决定封装形式的两个关键因素:
封装效率。
引脚数。
Raw Material in Assembly(封装原材料)【Wafer】晶圆
【Lead Frame】引线框架
提供电路连接和Die的固定作用;
主要材料为铜，会在上面进行镀银、 NiPdAu等材料;
L/F的制程有Etch和Stamp两种;
易氧化，存放于氮气柜中，湿度小 于40%RH;
除了BGA和CSP外，其他Package都会采用Lead Frame， BGA采用的是Substrate;
【Gold Wire】焊接金线
实现芯片和外部引线框架的电性和物 理连接;
金线采用的是99.99%的高纯度金;
主要功能为：在熔融状态下将Die和Lead Frame包裹起来， 提供物理和电气保护，防止外界干扰;
【Epoxy】银浆
FOL– Front of Line前段工艺
FOL– Back Grinding背面减薄
FOL– Wafer Saw晶圆切割
将晶圆粘贴在蓝膜(Mylar)上，使得即使被切割开后，不会散落;
通过Saw Blade将整片Wafer切割成一个个独立的Dice，方便后面的 Die Attach等工序;
Wafer Wash主要清洗Saw时候产生的各种粉尘，清洁Wafer;
FOL– 2nd Optical Inspection二光检查
主要是针对Wafer Saw之后在显微镜下进行Wafer的外观检查，是否有出现废品。
FOL– Die Attach 芯片粘接
芯片拾取过程：
1、Ejector Pin从wafer下方的Mylar顶起芯片，使之便于 脱离蓝膜;
2、Collect/Pick up head从上方吸起芯片，完成从Wafer 到L/F的运输过程;
3、Collect以一定的力将芯片Bond在点有银浆的L/F 的Pad上，具体位置可控;
4、Bond Head Resolution：X-0.2um;Y-0.5um;Z-1.25um;
5、Bond Head Speed：1.3m/s;
FOL– Epoxy Cure 银浆固化
银浆固化：
FOL– Wire Bonding 引线焊接
FOL– 3rd Optical Inspection三光检查
EOL– End of Line后段工艺
EOL– Molding(注塑)
EOL– Laser Mark(激光打字)
EOL– Post Mold Cure(模后固化)
用于Molding后塑封料的固化，保护IC内部结构，消除内部应力。Cure Temp：175+/-5°C;Cure Time：8Hrs
EOL– De-flash(去溢料)
目的：De-flash的目的在于去除Molding后在管体周围Lead之间 多余的溢料; 方法：弱酸浸泡，高压水冲洗;
EOL– Plating(电镀)
利用金属和化学的方法，在Leadframe的表面 镀上一层镀层，以防止外界环境的影响(潮湿 和热)。并且使元器件在PCB板上容易焊接及 提高导电性。
电镀一般有两种类型：
Pb-Free：无铅电镀，采用的是>99.95%的高纯 度的锡(Tin)，为目前普遍采用的技术，符合 Rohs的要求;
Tin-Lead：铅锡合金。Tin占85%，Lead占 15%，由于不符合Rohs，目前基本被淘汰;
EOL– Post Annealing Bake(电镀退火)
目的：让无铅电镀后的产品在高温下烘烤一段时间，目的在于 消除电镀层潜在的晶须生长(Whisker Growth)的问题; 条件：150+/-5C; 2Hrs;
EOL– Trim&Form(切筋成型)
EOL– Final Visual Inspection(第四道光检)
免责声明：本文系网络转载或改编，版权归原作者所有。但因转载众多，无法确认真正原始作者，故标明转载来源。如涉及版权等问题，请与我们联系删除！本文内容为原作者观点，并不代表本公司赞同其观点和对真实性负责。
分享
